PAINÉIS COM TECNOLOGIA PERC
HALF-CELL
- Densidade de corrente reduzida em 1/2
- Perdas internas reduzidas a 1/4 dos módulos fotovoltaicos tradicionais
- Potência de saída nominal aumentada em 5-10W
BARRAMENTO MULTIPLO
- Linhas de grade densas, força uniforme, design com vários barramentos
- A potência de saída é aumentada em mais de 5W
GRAVAÇÃO SEM PERDAS
- Tecnologia de gravação não destrutiva, sem danos mecânicos
- Superfície de corte lisa sem rebarbas
- O risco de fissuras celulares é baixo e as micro fissuras são reduzidas em mais de 50%
NOVO FIO DE SOLDA
- Usando fita de arame redondo para reduzir a área de sombreamento
- A luz incidente é refletida várias vezes, aumentando a potência em 1-2W
PAINÉIS COM TECNOLOGIA TOPCON
TECNOLOGIA SMBB
- Reduz a distância de transmissão atual e a blindagem da linha de grade e melhora a utilização óptica
- A tecnologia SMBB combinada com fita de arame redondo pode aumentar a taxa de utilização da luz incidente em 70% e aumentar a potência em 1-5%
FORÇA SUPERIOR
- Para o mesmo tipo de módulo, a potência dos módulos do tipo N é 15-30W maior que a dos módulos do tipo P
COEFICIENTE DE TEMPERATURA INFERIOR
- O coeficiente de temperatura do módulo fotovoltaico tipo P é -0,35%/C
- No módulo tipo N, o coeficiente de temperatura é otimizado para -0,29%/C
- A geração de energia é particularmente proeminente em ambientes de alta temperatura
MELHOR GARANTIA DE ENERGIA
- Módulos tipo N decaem 1% no primeiro ano (tipo P 2%)
- Garantia de energia por 30 anos
- Após 30 anos, a potência de saída não é inferior a 87,4% da potência inicial
PAINÉIS COM TECNOLOGIA HJT
GANHO BIFACIAL DE ALTA POTÊNCIA
- HJT com estrutura simétrica dupla lateral exclusiva, é mais fácil de fazer células laterais duplas e bifaciais até 97%
- A geração de energia do HJT é superior a 3% ~ 6% do que o PERC
- Na aplicação real, devido à excelente capacidade de geração de energia no parte traseira, o ganho bifacial do HJC chega a 30%
COEFICIENTE DE TEMPERATURA INFERIOR
- O coeficiente de temperatura do módulo fotovoltaico tipo P é -0,35%/C
- Módulo tipo N (HJT) tem o coeficiente de temperatura otimizado para -0,26%/C
- A geração de energia é particularmente proeminente em ambientes de alta temperatura.
MENOR TAXA DE DEGRADAÇÃO -EFEITOS PID ( Potential Induced Degradation) E LID (Light Induced Degradation)
- As células HJT são feitas de pastilhas de silício tipo N
- O módulo HJT não possui efeito PID e LID, o que garante fundamentalmente a durabilidade e o rendimento do produto
MENOR TAXA DE DETERIORAÇÃO DA VIDA ÚTIL
- A redução é de 1% no primeiro ano e a redução anual é <0,375% a partir do ano seguinte
- Até o 30º ano, a potência é >-88%